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CSD17570Q5B
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CSD17570Q5B技术资料
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CSD17570Q5B
单端场效应管
制造厂商:
德州仪器(TI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 53A 8SON
原厂封装:
8-SON
优势价格,CSD17570Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD17570Q5B的技术资料下载
CSD17570Q5B的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号:CSD17570Q5B
制造厂家名称:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8SON
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):0.69 毫欧 @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):121nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13600pF @ 15V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装
封装样式:8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装:8-SON(5x6)
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