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CSD18509Q5B
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CSD18509Q5B技术资料
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CSD18509Q5B
FET - 单
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，CSD18509Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD18509Q5B的技术资料下载
CSD18509Q5B的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD18509Q5B
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.2 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 195nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 13900pF @ 20V
功率 - 最大值: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 8-PowerTDFN
原厂封装: 8-VSON（5x6）
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