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CSD18531Q5AT
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CSD18531Q5AT技术资料
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CSD18531Q5AT
FET - 单
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，CSD18531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD18531Q5AT的技术资料下载
CSD18531Q5AT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD18531Q5AT
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.6 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3840pF @ 30V
功率 - 最大值: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 8-PowerTDFN
原厂封装: 8-VSONP（3x3.15）
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