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CSD18532Q5BT

TI图标
单端场效应管
制造厂商:德州仪器(TI)
功能简述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
原厂封装:8-VSON
优势价格,CSD18532Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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CSD18532Q5BT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
  • TI公司标准型号:CSD18532Q5BT
  • 制造厂家名称:Texas Instruments
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
  • 系列:NexFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5070pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:3.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:8-PowerTDFN
  • 原厂封装:8-VSON (5x6)
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