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CSD18542KCS
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CSD18542KCS技术资料
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CSD18542KCS
FET - 单
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，CSD18542KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD18542KCS的技术资料下载
CSD18542KCS的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD18542KCS
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
系列: NexFET?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 44 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 5070pF @ 30V
功率 - 最大值: 200W
安装类型: 通孔
封装样式: TO-220-3
原厂封装: TO-220-3
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