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CSD87312Q3E
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CSD87312Q3E技术资料
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CSD87312Q3E
场效应管阵列
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
原厂封装：
8-SON
优势价格，CSD87312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87312Q3E的技术资料下载
CSD87312Q3E的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号：CSD87312Q3E
制造厂家名称：Texas Instruments
描述：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
系列：NexFET?
FET 类型：2?N 沟道（双）共源
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：27A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 7A， 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装样式：8-TDFN 裸露焊盘
原厂封装：8-SON（3.3x3.3）
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