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CSD87334Q3D
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CSD87334Q3D技术资料
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CSD87334Q3D
FET - 阵列
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
原厂封装：
*
优势价格，CSD87334Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87334Q3D的技术资料下载
CSD87334Q3D的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD87334Q3D
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
系列: NexFET?
FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 6 毫欧 @ 12A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1260pF @ 15V
功率 - 最大值: 6W
安装类型: *
封装样式: *
原厂封装: *
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