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CSD87501LT
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CSD87501LT技术资料
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CSD87501LT
FET - 阵列
制造厂商：
德州仪器(TI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
原厂封装：
10-XFBGA
优势价格，CSD87501LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
CSD87501LT的技术资料下载
CSD87501LT的功能参数资料 - 德州仪器(TI)提供
TI公司标准型号: CSD87501LT
制造厂家名称: Texas Instruments
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
系列: NexFET?
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: -
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装样式: 10-XFBGA
原厂封装: 10-Picostar（3.37x1.47）
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